含13%增值税 | ||
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CSD16406Q3产品详细规格
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属性 | 参数值 | |
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系列 | NexFET™ | |
包装 | 剪切带(CT) | |
零件状态 | 有效 | |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | |
FET 功能 | 标准 | |
漏源极电压(Vdss) | 25V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 19A(Ta),60A(Tc) | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 5.3 毫欧 @ 20A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 8.1nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 12.5V | |
功率 - 最大值 | 2.7W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN | |
供应商器件封装 | 8-VSON(5x6) | |
标准包装 | 1 | |
其它名称 |
描述: 自营现货 |
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描述: 自营现货 |
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描述: 自营现货 |
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