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CSD18536KTT

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品　　牌：TI

厂家型号：CSD18536KTT

商品编号：P19062

封装规格：-

数据手册/封装库：PDF数据手册

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商品介绍

商品介绍

CSD18536KTT产品详细规格

数据列表	CSD18536KTT Datasheet;
标准包装	50
包装	标准卷带
零件状态	有源
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列	NexFET™
其它名称	296-44122-2 CSD18536KTTT-ND

规格

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	200A（Ta），349A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.6 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	140nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	11430pF @ 30V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	375W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DDPAK/TO-263-3
封装/外壳	TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA

属性	参数值
系列	NexFET™
包装	带卷（TR）
零件状态	有效
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	200A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	1.6 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	11430pF @ 30V
功率 - 最大值	375W
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-4，D²Pak（3 引线+接片），TO-263AA
供应商器件封装	DDPAK/TO-263-3
标准包装	500

近似物料

商品编号：P50389
封装规格：BGA133

品牌：LINEAR
型号：LTM4613IY#PBF

描述：

自营现货

含13%增值税
￥ 1个：
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￥ 100个：
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库存：5000 个
可订货

商品编号：P50006
封装规格：SOT23

品牌：NXP/nexperia
型号：BAT54S

描述：

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库存：5000 个
可订货

商品编号：P49994
封装规格：TSSOP-20

品牌：HK
型号：HK32F030MF4P6

描述：

自营现货

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