CSD17527Q5A
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CSD17527Q5A

自营现货
含13%增值税
1+:

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品  牌:TI
厂家型号:CSD17527Q5A
商品编号:P22856
封装规格:-
数据手册/封装库:PDF数据手册
商品毛重:0.000100 KG

商品介绍

CSD17527Q5A产品详细规格

数据列表CSD17527Q5A;
标准包装  2,500
包装  标准卷带 
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列NexFET™
其它名称296-29021-2

规格

FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10.8 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)3.4nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)506pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-VSONP(5x6)
封装/外壳8-PowerTDFN


属性参数值
系列NexFET™
包装剪切带(CT)
零件状态有效
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)65A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)10.8 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)3.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)506pF @ 15V
功率 - 最大值3W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商器件封装8-VSON(5x6)
标准包装1
其它名称
  • 商品编号:P50389
  • 封装规格:BGA133
  • 品牌:LINEAR
  • 型号:LTM4613IY#PBF
描述:
自营现货
  • 含13%增值税
  • ¥ 1个:

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  • ¥ 10个:

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  • ¥ 100个:

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  • ¥ 500个:

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  • ¥ 1000个:

    0.0000
  • 库存:5000 个
  • 可订货
  • 商品编号:P50006
  • 封装规格:SOT23
  • 品牌:NXP/nexperia
  • 型号:BAT54S
描述:
自营现货
  • 含13%增值税
  • ¥ 1个:

    0.0000
  • ¥ 10个:

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  • ¥ 100个:

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  • ¥ 500个:

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  • ¥ 1000个:

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  • 库存:5000 个
  • 可订货
  • 商品编号:P49994
  • 封装规格:TSSOP-20
  • 品牌:HK
  • 型号:HK32F030MF4P6
描述:
自营现货
  • 含13%增值税
  • ¥ 1个:

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  • ¥ 10个:

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  • ¥ 100个:

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  • ¥ 500个:

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  • ¥ 1000个:

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  • 库存:5000 个
  • 可订货

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