含13%增值税 | ||
1+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
10+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
100+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
500+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
1000+: | ¥ 0.0000 / 个 |
属性 | 参数值 | |
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系列 | SDMOS™ | |
包装 | 带卷(TR) | |
零件状态 | 上次购买时间 | |
FET 类型 | N 沟道 | |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) | |
漏源极电压(Vdss) | 25V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 55A(Tc) | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 7.3 毫欧 @ 20A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 12.5V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | * | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | |
供应商器件封装 | TO-251A | |
标准包装 | 3,500 |
描述: 自营现货 |
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